RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
104
Autour de -104% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
51
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2687
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link