RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Porównaj
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
1,904.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,850.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,904.4
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
913
3738
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link