RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
3876
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link