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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
2,936.9
19.1
写入速度,GB/s
1,884.0
15.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3876
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
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