RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
72
77
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
703.4
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
77
72
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
2,733.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
703.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
6400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
433
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link