Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Select RAM 2
Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB

Przegląd RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB, specyfikacje, wzorce

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB przegląd modułów pamięci. Główne parametry techniczne i ocena wydajności w benchmarku PassMark. Sugerujemy przeanalizowanie wszystkich danych i porównanie ich z modelem konkurencyjnym.

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Cechy
  • Type
    DDR2
  • Nazwa
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G
  • Charakterystyka
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Szerokość pasma pamięci
    6400 mbps
  • Taktowanie / szybkość zegara

    * check the manufacturer's website

    5-5-5-15 / 800 MHz
Wyniki według PassMark
  • Opóźnienie
    72 ns
  • Szybkość czytania
    2,733.6 GB/s
  • Prędkość zapisu
    703.4 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

Opóźnienie CAS mierzy liczbę cykli zegara, które upływają od momentu zgłoszenia żądania odczytu danych do momentu, gdy takie informacje są dostępne.

Badania eksploatacyjne

Testy rzeczywiste Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Prędkość transferu odczytu bez buforowania
Średni czas odczytu z pamięci bez buforowania
Prędkość przesyłu zapisu
Średnia szybkość zapisu
Oceń pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB