Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB

审查RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB, 规格、基准

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB 记忆模块回顾. 主要技术特点和PassMark的基准性能评估. 我们建议研究所有数据,并与竞争模式进行比较。

规格

完整的技术规格清单
特点
  • Type
    DDR2
  • 命名
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G
  • 特征
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • 内存带宽
    6400 mbps
  • 时序/时钟速度

    * 检查制造商的网站

    5-5-5-15 / 800 MHz
性能由PassMark提供
  • 延迟
    72 ns
  • 阅读速度
    2,733.6 GB/s
  • 写入速度
    703.4 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

CAS延迟衡量的是,从提出读取数据的请求到获得这些信息所经过的时钟周期的数量。

性能测试

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