Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Выберите RAM 2
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB

Обзор RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB, характеристики, бенчмарки

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB обзор модуля памяти (RAM). Основные технические характеристики ОЗУ и бенчмарки производительности, предоставленные PassMark. Изучите данные модуля и сравните его с другими моделями RAM

Спецификации

Полный список технических характеристик
Характеристики
  • Type
    DDR2
  • Имя
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G
  • Характеристики
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Пропускная способность памяти
    6400 mbps
  • Тайминги / частота

    * проверяйтие на сайте производителя

    5-5-5-15 / 800 MHz
Производительность от PassMark
  • Задержка
    72 ns
  • Скорость чтения
    2,733.6 GB/s
  • Скорость записи
    703.4 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

Задержка CAS измеряет количество тактовых циклов, которые проходят с момента запроса на чтение данных до момента, когда такая информация становится доступной.

Тесты производительности

Реальные тесты Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Задержка
Среднее время задержки, тест Passmark
Скорость чтения без кеширования
Среднее время чтения памяти без кеширования
Cкорость записи
Cредняя скорость записи, Passmark
Оцените RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB