Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB

Überprüfung RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB, Spezifikationen, Benchmarks

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB Überprüfung der Speichermodule. Wichtigste technische Merkmale und Benchmark-Leistungsbewertung von PassMark. Wir empfehlen, alle Daten zu studieren und sie mit dem Wettbewerbsmodell zu vergleichen.

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Eigenschaften
  • Type
    DDR2
  • Name
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G
  • Merkmale
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Speicher-Bandbreite
    6400 mbps
  • Timings / Taktgeschwindigkeit

    * Überprüfen Sie die Website des Herstellers

    5-5-5-15 / 800 MHz
Leistung von PassMark
  • Latenzzeit
    72 ns
  • Geschwindigkeit lesen
    2,733.6 GB/s
  • Schreibgeschwindigkeit
    703.4 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

Die CAS-Latenzzeit misst die Anzahl der Taktzyklen, die von der Anfrage zum Lesen von Daten bis zum Vorliegen dieser Informationen vergehen.

Leistungstests

Echte Tests Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Latenzzeit
PassMark durchschnittliche Verzögerungszeit
Ungepufferte Übertragungsgeschwindigkeit beim Lesen
Durchschnittliche Lesezeit im Speicher ohne Zwischenspeicherung
Geschwindigkeit der Schreibübertragung
Durchschnittliche Schreibgeschwindigkeit
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