Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB

Revue RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB, spécifications, benchmarks

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB examen des modules de mémoire. Principales caractéristiques techniques et évaluation des performances de référence de PassMark. Nous suggérons d'étudier toutes les données et de les comparer avec le modèle concurrentiel.

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Caractéristiques
  • Type
    DDR2
  • Nom
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G
  • Caractéristiques
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Largeur de bande de la mémoire
    6400 mbps
  • Timings / Vitesse d'horloge

    * vérifier le site web du fabricant

    5-5-5-15 / 800 MHz
Performance par PassMark
  • Latence
    72 ns
  • Vitesse de lecture
    2,733.6 GB/s
  • Vitesse d'écriture
    703.4 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

La latence du CAS mesure le nombre de cycles d'horloge qui s'écoulent entre le moment où une demande de lecture de données est formulée et celui où ces informations sont disponibles.

Tests de performance

Tests réels Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Vitesse de transfert en lecture sans cache
Temps moyen de lecture de la mémoire sans mise en cache
Vitesse de transfert en écriture
Vitesse d'écriture moyenne
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