RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
3023
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link