RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
104
Wokół strony -316% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3845
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link