RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
104
Около -316% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3845
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link