RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link