Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 73

Около -135% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 6.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.9 4.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 8500

Около 2.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 31
Скорость чтения, Гб/сек

6.1 15.5
Скорость записи, Гб/сек

4.7 9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 21300

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1021 2060

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB

модули RAM

Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB

Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB

Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB

Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB

модули RAM