RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
3564
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link