RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2443
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link