RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2349
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link