RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
3247
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link