RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1847
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link