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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
30
读取速度,GB/s
8.9
15.1
写入速度,GB/s
5.9
11.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1847
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
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Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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