RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
50
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
50
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.9
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2734
2512
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link