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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
比较
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
50
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
50
读取速度,GB/s
15.5
15.3
写入速度,GB/s
11.9
10.9
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2734
2512
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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