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Kingston 9905403-151.A00LF 2GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
比较
Kingston 9905403-151.A00LF 2GB vs Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
总分
Kingston 9905403-151.A00LF 2GB
总分
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-151.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-151.A00LF 2GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
31
36
读取速度,GB/s
14.9
17.1
写入速度,GB/s
9.5
10.0
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2353
2765
Kingston 9905403-151.A00LF 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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