RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2852
2824
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link