RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
7.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
54
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
7.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.9
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2803
1611
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link