RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2783
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link