RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
65
Por volta de -150% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2783
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link