RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
65
Autour de -150% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2783
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Inmos + 256MB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link