RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2657
2847
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link