RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
36
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2657
2605
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link