RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
48
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
48
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2789
2466
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339J.M8F 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link