RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Porównaj
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,042.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
61
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,448.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,042.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
860
3159
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link