RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Porównaj
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,042.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
61
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,448.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,042.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
860
3355
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link