RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Porównaj
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,042.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
61
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,448.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,042.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
860
3355
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link