RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
73
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
73
38
Prędkość odczytu, GB/s
5.0
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1398
2174
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link