RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB против Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB Причины выбрать
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    38 left arrow 73
    Около -92% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.6 left arrow 5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.8 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    73 left arrow 38
  • Скорость чтения, Гб/сек
    5.0 left arrow 12.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.4 left arrow 8.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1398 left arrow 2174

SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Сравнения RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
модули RAM