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SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
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Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
73
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
73
38
Velocidade de leitura, GB/s
5.0
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1398
2174
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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