RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3573
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link