RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3519
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link