RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
41
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2600
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link