RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
41
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2773
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link