RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
3692
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link