RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
3075
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link