RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2164
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link