RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2978
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link