RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2288
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link