RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
2288
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link