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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1406
2288
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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