RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
71
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
1986
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link