RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
66
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
1877
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link